Tiristor de conmutación rápida

Descrición:

Tiristor de conmutación rápida, coa mesma estrutura e símbolo do tiristor de control de fase, mentres que as mellores características estáticas, especialmente as características dinámicas son necesarias pola aplicación de alta frecuencia de rectificación, corte, inversor e circuíto de conversión de frecuencia.Os parámetros dinámicos do tiristor rápido son a velocidade de aceso rápida e a velocidade de expansión de encendido, menos carga de recuperación inversa e tempo de apagado curto, alta taxa de subida crítica da corrente no estado (di/dt) e taxa crítica de aumento da tensión en estado de apagado (dv/dt).A corrente nominal do tiristor rápido dentro da frecuencia nominal non diminúe ou diminúe un pouco cando a frecuencia aumenta.

O estándar de fabricación de tiristores de conmutación rápida e tecnoloxía de procesamento de RUNAU Electronics foi introducido desde os Estados Unidos desde a década de 1980, como pioneiro na fabricación de tiristores en China, o equipo técnico de RUNAU adquiriu o coñecemento de vangarda e unha ampla experiencia de fabricación durante máis de 30 anos.En base ao proceso de fabricación tradicional, os técnicos de talento de RUNAU Electronics desenvolveran a tecnoloxía de arte do estado na fabricación de tiristores con características de vantaxe dos produtos europeos, a calidade e o rendemento melloran moito, conseguiuse máis grandes vitorias nas aplicacións de electrónica de potencia. e creouse máis valor para os socios.

Introdución:

1. Chip

O chip de tiristores fabricado por RUNAU Electronics é a tecnoloxía de aliaxe sinterizada empregada.A oblea de silicio e molibdeno foi sinterizada para aliaxe con aluminio puro (99,999%) baixo alto baleiro e ambiente de alta temperatura.A administración das características de sinterización é o factor clave para afectar a calidade do tiristor.O know-how de RUNAU Electronics ademais de xestionar a profundidade da unión da aliaxe, a planitude da superficie, a cavidade da aliaxe, así como a habilidade de difusión completa, o patrón de círculo de anel, a estrutura de porta especial.Tamén se empregou un procesamento especial para reducir a vida útil do dispositivo, de modo que a velocidade de recombinación do portador interno se acelere moito, a carga de recuperación inversa do dispositivo redúcese e, en consecuencia, a velocidade de conmutación mellore.Tales medicións aplicáronse para optimizar as características de conmutación rápida, as características do estado de activación e a propiedade da corrente de sobretensión.O rendemento e a operación de condución do tiristor é fiable e eficiente.

2. Encapsulamento

Mediante un control estrito da planitude e do paralelismo da oblea de molibdeno e do paquete externo, o chip e a oblea de molibdeno integraranse co paquete externo de forma firme e completa.Isto optimizará a resistencia da corrente de sobretensión e da alta corrente de curtocircuíto.E a medición da tecnoloxía de evaporación de electróns empregouse para crear unha película de aluminio espesa na superficie da oblea de silicio, e a capa de rutenio recuberta na superficie de molibdeno mellorará moito a resistencia á fatiga térmica, o tempo de vida útil do tiristor de conmutación rápida aumentará significativamente.

Especificación técnica

1. Tiristor de interruptor rápido con chip tipo aleación fabricado por RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 200A a 4000A e V_DRM/V_RRMde 1200V a 4500V.
2. I_GT, V_GTe máis eu_Hson os valores de proba a 25 ℃, a non ser que se indique o contrario, todos os demais parámetros son os valores de proba baixo T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Anchura da base da corrente de media onda sinusoidal.A 50 Hz, I²t = 0,005I²FSM (A²S);
4. A 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;eu²t(8,3 ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parámetro: