As referencias normativas aplicadas por Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co na produción de díodos de soldadura foron as seguintes:
1. GB/T 4023—1997 Dispositivos discretos de dispositivos semicondutores e circuítos integrados Parte 2: Díodos rectificadores
2. GB/T 4937—1995 Métodos de proba mecánica e climática para dispositivos semicondutores
3. JB/T 2423—1999 Dispositivos semicondutores de potencia - Método de modelado
4. Embalaxe de dispositivos semicondutores de potencia JB/T 4277—1996
5. JB/T 7624—1994 Método de proba do diodo rectificador
Modelo E Tamaño
1. Nome do modelo: o modelo do díodo de soldadura refírese á normativa JB/T 2423-1999, e o significado de cada parte do modelo móstrase na figura 1 a continuación:
2. Símbolos gráficos e identificación (sub)terminal
Os símbolos gráficos e a identificación do terminal móstranse na Figura 2, a frecha apunta ao terminal do cátodo.
3. Forma e dimensións de instalación
A forma do díodo soldado é convexa e de tipo disco, e a forma co tamaño debe cumprir os requisitos da Figura 3 e da Táboa 1.
| Elemento | Dimensión (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Brida do cátodo (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Cátodo e ánodo Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68 ± 0,2 |
| Diámetro máximo de anel cerámico (D2máximo) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Espesor total (A) | 8 ± 1 | 8 ± 1 | 13 ± 2 |
| Orificio de posición de montaxe | Diámetro do burato: φ3,5 ± 0,2 mm, Profundidade do burato: 1,5 ± 0,3 mm | ||
Valoracións e características
1. Nivel de parámetros
A serie de voltaxe de pico repetitivo inverso (VRRM) é a especificada na táboa 2
Táboa 2 Nivel de tensión
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Nivel | 02 | 04 |
2. Valores límite
Os valores límite cumprirán coa Táboa 3 e aplicaranse a todo o intervalo de temperatura de funcionamento.
Táboa 3 Valor límite
| Valor límite | Símbolo | Unidade | Valor | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Temperatura da caixa | Tcase | ℃ | -40~85 | |||
| Temperatura de unión equivalente (máx.) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Temperatura de almacenamento | Tstg | ℃ | -40~170 | |||
| Tensión inversa de pico repetitiva (máx.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Tensión de pico inversa non repetitiva (máx | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Corrente media directa (máx.) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Corrente de sobretensión directa (non repetitiva) (máx.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (máx.) | eu non | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Forza de montaxe | F | kN | 22 ~ 24 | 30~35 | 45~50 | 52~57 |
3. Valores característicos
Táboa 4 Valores característicos máximos
| Carácter e condición | Símbolo | Unidade | Valor | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Tensión pico directa IFM= 5000 A, Tj= 25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Corriente pico repetitiva inversa Tj= 25 ℃, Tj= 170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Resistencia térmica Unión a carcasa | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Nota: para requisitos especiais consultar | ||||||
Odiodo de soldaduraproducido por Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor aplícase amplamente en soldadores por resistencia, máquinas de soldadura de frecuencia media e alta de ata 2000 Hz ou superior.Cunha tensión máxima de avance ultra baixa, resistencia térmica ultra baixa, tecnoloxía de fabricación de última xeración, excelente capacidade de substitución e rendemento estable para os usuarios globais, o díodo de soldadura de Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor é un dos dispositivos máis fiables de China. produtos semicondutores.
Hora de publicación: 14-Xun-2023