O novo tipo de plataforma de deseño de simulación de dispositivo semicondutor de potencia foi creada recentemente en Runau.Coa axuda dunha plataforma de simulación avanzada e probas e análises combinadas, a investigación en profundidade sobre a estrutura do dispositivo e a teoría básica relacionada levouse a cabo de forma fructífera.O aproveitamento da teoría e da plataforma de investigación de vangarda fixo que a empresa desenvolvese e dominase a tecnoloxía de procesamento clave do chip tiristor de 5 ", GTO e IGCT.Unha capacidade de proceso completo de fabricación de tiristores, díodos rectificadores, módulo schottky, IGCT, IGBT, tiristores de alta tensión e alta corrente, así como para construír a plataforma de proba piloto para díodos de recuperación ultrarrápida, todos estaban dispoñibles en Runau con éxito.Un paso máis sólido para construír a base de fabricación de dispositivos electrónicos de potencia en China, estamos en camiño.