Tiristor de control de fase (tipo de aleación)

Descrición:

O tiristor, tamén coñecido como Silicon Control Rectifier (SCR), é un dispositivo semicondutor de alta potencia que consta de tres estruturas PN.En termos de rendemento, o tiristor non só ten unha condutividade unidireccional, senón que tamén ten unha controlabilidade máis valiosa que o elemento rectificador de silicio, que só ten dous estados de condución e estado apagado, para controlar gran potencia con pequena potencia, amplificación de potencia de ata centos ou miles de veces.A reacción é moi rápida, acendendo e apagando en microsegundos.Operación sen contacto, sen faíscas, sen ruído, mentres que alta eficiencia e baixo custo.Polo tanto, especialmente no sistema de alimentación de alta potencia, o tiristor foi amplamente utilizado en circuítos rectificadores, interruptor de derivación estático, interruptor de saída sen contacto e outros circuítos.

O estándar de fabricación de tiristores e tecnoloxía de procesamento de RUNAU Electronics foi introducido desde os Estados Unidos desde os anos 80, como pioneiro na fabricación de tiristores en China, o equipo técnico de RUNAU adquiriu o coñecemento de vangarda e unha ampla experiencia de fabricación durante máis de 30 anos.En base ao proceso de fabricación tradicional, os técnicos de talento de RUNAU Electronics desenvolveran a tecnoloxía de arte do estado na fabricación de tiristores con características de vantaxe dos produtos europeos, a calidade e o rendemento melloran moito, conseguiuse máis grandes vitorias na aplicación da electrónica de potencia. campos, e creouse máis valor para os socios.

Introdución:

1. Chip

O chip de tiristores fabricado por RUNAU Electronics é a tecnoloxía de aliaxe sinterizada empregada.A oblea de silicio e molibdeno foi sinterizada para aliaxe con aluminio puro (99,999%) baixo alto baleiro e ambiente de alta temperatura.A administración das características de sinterización é o factor clave para afectar a calidade do tiristor.O know-how de RUNAU Electronics, ademais de xestionar a profundidade da unión da aliaxe, a planitude superficial, a cavidade da aliaxe, así como a habilidade de difusión completa, a porta central, o patrón de círculo de anel aplicáronse para permitir a operación de condución fiable e de alta eficiencia do tiristor, a fin de garantir o rendemento de alta calidade.

2. Encapsulamento

Mediante un control estrito da planitude e do paralelismo da oblea de molibdeno e do paquete externo, o chip e a oblea de molibdeno integraranse co paquete externo de forma firme e completa.Isto optimizará a resistencia da corrente de sobretensión e da alta corrente de curtocircuíto.E a medición da tecnoloxía de evaporación de electróns empregouse para crear unha película de aluminio espesa na superficie da oblea de silicio, e a capa de rutenio recuberta na superficie de molibdeno mellorará moito a resistencia á fatiga térmica, o tempo de vida útil do tiristor aumentará significativamente.

Especificación técnica

1. Tiristor controlado por fase con chip tipo aleación fabricado por RUNAU Electronics, gama de I_TAVde 300A a 6000A e V_DRM/V_RRMde 800V a 4400V.
2. I_GT, V_GTe máis eu_Hson os valores de proba a 25 ℃, a non ser que se indique o contrario, todos os demais parámetros son os valores de proba baixo T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Anchura da base da corrente de media onda sinusoidal.A 50 Hz, I²t = 0,005I²FSM (A²S);
4. A 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;eu²t(8,3 ms)=I²t(10 ms)×0,943,T_j=T_jm

Parámetro: