Paquete de prensa IGBT
Paquete de prensa IGBT (IEGT)
| TIPO | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A/µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤ 1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Nota:D- con dparte de iodo, A-sen parte de diodo
Convencionalmente, os módulos IGBT de contacto de soldadura aplicáronse no interruptor do sistema de transmisión de CC flexible.O paquete do módulo é de disipación de calor dun só lado.A capacidade de potencia do dispositivo é limitada e non é adecuada para conectarse en serie, escasa vida útil no aire salgado, escasa vibración antichoque ou fatiga térmica.
O novo dispositivo IGBT de prensa de alta potencia de contacto de prensa non só resolve completamente os problemas de vacante no proceso de soldeo, a fatiga térmica do material de soldeo e a baixa eficiencia da disipación de calor por unha soa cara, senón que tamén elimina a resistencia térmica entre varios compoñentes. minimizar o tamaño e o peso.E mellorar significativamente a eficiencia de traballo e a fiabilidade do dispositivo IGBT.É bastante axeitado para satisfacer os requisitos de alta potencia, alta tensión e alta fiabilidade do sistema de transmisión de CC flexible.
A substitución do tipo de contacto de soldadura por IGBT de paquete de prensa é imperativa.
Desde 2010, Runau Electronics foi elaborada para desenvolver un novo dispositivo IGBT de paquete de prensa e ter éxito na produción en 2013. O rendemento foi certificado pola cualificación nacional e completouse o logro de vangarda.
Agora podemos fabricar e proporcionar IGBT de paquetes de prensa en serie de gama IC de 600A a 3000A e gama VCES de 1700V a 6500V.Espérase unha espléndida perspectiva de IGBT de paquete de prensa fabricado en China para ser aplicado no sistema de transmisión de CC flexible de China e converterase noutro pilar de clase mundial da industria electrónica de potencia de China despois do tren eléctrico de alta velocidade.
Breve introdución do modo típico:
1. Modo: paquete de prensa IGBT CSG07E1700
●Características eléctricas despois do envasado e prensado
● Marcha atrásparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluíu
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Tensión do colector emisor: VGES = 1700 (V)
b.Tensión do emisor de porta: VCES=±20（V）
c.Corriente do colector: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Disipación de potencia do colector: PC=4440（W）
e.Temperatura de unión de traballo: Tj = -20 ~ 125 ℃
f.Temperatura de almacenamento: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Observación: o dispositivo danarase se supera o valor nominal
EléctricoCcaracterísticas, TC＝125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）non incluído
a.Corrente de fuga de porta: IGES = ± 5 (μA)
b.Corriente de bloqueo do colector emisor ICES=250（mA）
c.Voltaje de saturación do colector emisor: VCE(sat)=6(V)
d.Tensión de umbral do emisor de porta: VGE(th)=10(V)
e.Tempo de acendido: Ton = 2,5 μs
f.Tempo de apagado: Toff=3μs
2. Modo: paquete de prensa IGBT CSG10F2500
●Características eléctricas despois do envasado e prensado
● Marcha atrásparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluíu
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Tensión do colector emisor: VGES = 2500 (V)
b.Tensión do emisor de porta: VCES=±20（V）
c.Corriente do colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disipación de potencia do colector: PC=4800（W）
e.Temperatura de unión de traballo: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Temperatura de almacenamento: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Observación: o dispositivo danarase se supera o valor nominal
EléctricoCcaracterísticas, TC＝125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）non incluído
a.Corrente de fuga de porta: IGES = ± 15 (μA)
b.Corriente de bloqueo do colector emisor ICES=25（mA）
c.Tensión de saturación do colector emisor: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Tensión de umbral do emisor de porta: VGE(th)=6.3(V)
e.Tempo de acendido: Ton = 3,2 μs
f.Tempo de apagado: Toff=9,8 μs
g.Tensión directa do diodo: VF=3,2 V
h.Tempo de recuperación inversa do diodo: Trr=1,0 μs
3. Modo: paquete de prensa IGBT CSG10F4500
●Características eléctricas despois do envasado e prensado
● Marcha atrásparaleloconectadodiodo de recuperación rápidaconcluíu
● Parámetro:
Valor nominal (25 ℃)
a.Tensión do colector emisor: VGES = 4500 (V)
b.Tensión do emisor de porta: VCES=±20（V）
c.Corriente do colector: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Disipación de potencia do colector: PC=7700（W）
e.Temperatura de unión de traballo: Tj = -40 ~ 125 ℃
f.Temperatura de almacenamento: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Observación: o dispositivo danarase se supera o valor nominal
EléctricoCcaracterísticas, TC＝125℃，Rth (resistencia térmica deunión acaso）non incluído
a.Corrente de fuga de porta: IGES = ± 15 (μA)
b.Corriente de bloqueo do colector emisor ICES=50（mA）
c.Tensión de saturación do colector emisor: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Tensión de umbral do emisor de porta: VGE(th)=5,2 (V)
e.Tempo de acendido: Ton = 5,5 μs
f.Tempo de apagado: Toff=5,5 μs
g.Tensión directa do diodo: VF=3,8 V
h.Tempo de recuperación inversa do diodo: Trr=2,0 μs
Nota:Press-pack IGBT é unha vantaxe na alta fiabilidade mecánica a longo prazo, alta resistencia aos danos e as características da estrutura de conexión de prensa, é conveniente para ser empregado en dispositivos en serie e, en comparación co tiristor GTO tradicional, IGBT é un método de accionamento de tensión. .Polo tanto, é fácil de operar, seguro e amplo rango de operación.